ng Area。也有一些厂家叫ASO区，其英文单词是Area of Safe Opration，总之，两者是一个意思，下面我们统一称为SOA区

　　安全工作区指的就是曲线与横轴（ Vds）和纵轴（Ids）所围成的面积，如下图，我们评估直流的时候，安全工作区就看DC这条线与坐标轴围成的面积。

　　顾名思义，SOA区——安全工作区，就是用来评估MOS管工作状态是否安全，是否有电应力损坏的风险的。只要使用的条件（电压、电流、结温等）不超出SOA圈定的区域，MOSFET必然能够按照我们想象的那样，任劳任怨的持续运行，反之，则可能烧掉。

　　SOA图形是一个非常有用的图形，特别在一些热插拔，电机驱动，开关电源等用到开关MOS的场合。因为这些场合，MOS在开通或关断的切换过程中，瞬间功率可能是很高的，如果超过SOA区，那么就有风险。

　　在我见过的SOA曲线条限制线条限制线条限制线里面多包含了：热稳定性限制线条限制线条限制线条限制线的也就理解了。

　　如下图SOA示意图，SOA由Rds(on)限制线，电流限制线，功率限制线，热稳定限制线，击穿电压限制线组成。

　　SOA示意图中蓝色的就是Rds(on)限制线，简单理解，就是MOS管完全导通的时候，会有导通电阻Rds(on)，我们知道，此时MOS工作在欧姆区，有关系式Vds=Ids*Rds(on)，在我们固定条件Vgs和温度的情况下，Rds(on)就是一个常数，所以我们会看到这条曲线是线性的。

　　SOA曲线展示的Rds(on)是一个常数，而数据表中呈现的是一个范围，并且与Vgs有关，可以推测出厂家给出SOA曲线时，用的Rds(on)肯定是在某一特定工作条件下的（主要是Vgs和温度）。

　　SOA示意图中红色的就是电流限制线，一般就指芯片的最大脉冲尖峰电流Idm，其一般由器件本身的封装决定。

　　如下图是TI的PMOS型号CSD25404Q3T，其Idm=-240A，在SOA曲线中，不论脉冲的时间多长，运行通过的电流都要小于-240A。

　　SOA示意图中绿色的就是等功率限制线，这是参数根据器件允许消耗的最大功率计算得出的，该功率在热平衡状态下会产生 150°C 的稳定结温 Tj，其中 Tc = 25°C。

　　还是以CSD25404Q3T为例，我们看DC这条线W，而在B点，功率P=20V*2A=40W，A点和B点的功率是相等的，这条线上的所有点的功率其实都是40W。

　　关于功率限制线，我倒是在手册中发现个对应不上的问题：SOA曲线T的规格书数据表中，功率的限制为96W，我理解这两个数值应该是一样的才对，现在却并不相等。

　　对于这个差异，从手册上看，可能跟测试条件有关系，测试标准的测试条件是Tc=25℃，而SOA曲线℃，可能跟此有关系（不是特别肯定，因为我理解，SOA应该都是在Tc=25℃下测的才对），如果对此有比较了解的同学，希望能留言介绍下。

　　SOA示意图中紫色的就是热稳定性限制线，简单说就是，我们实际工作的时候，电压和电流也不能超过这根线，否则MOS就会发生热不稳定导致损坏。

　　如上图，在固定Vds的情况下，不同的Vgs，ID的电流是不同，并且其跟温度有一定的关系，其存在正温度系数和负温度系数。

　　这是因为如果硅芯片上面某个区域的温度高于地方，并且其处于正温度系数区域，那么其电流也会高于地方，电流大，又会导致产生更多的热量，温度也会更高，因而变得更热，最终的结果可能就是热失控，有点类似于正反馈。

　　从TI的文章里面了解到，这个限制线并非是从公式计算出来的，而是通过实测mos什么时候损坏，通过测量的方式得出来的。

　　SOA示意图中粉色的就是击穿电压限制线，这个应该很容易理解，就是MOS管的耐压，一般也跟规格书中的Vds(max)对应，简单举个例子（以CSD25404Q3T为例子）如下图，就不细说了。

　　如下图CSD25404Q3T有4条限制线，其分别对应了不同脉冲时间的限制，这应该很容易理解，如果脉冲持续的时间越长，MOS承受的电，热应力也会越大，越容易发生损坏。所以可以看到，持续时间越短，其能承受的电压和电流越大。

　　文章出处：【微信号：gh_3a15b8772f73，微信公众号：硬件工程师炼成之路】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。

　　(Semi-conductorOptical Amplifier)半导体光放大器是采用应变量子阱结构的PN结器件，外部正向偏压形成粒子数反转，外部光进入后导致受激

　　以其独特的优势越来越受到企业的重视，它可以根据需求通过网络对松散耦合的粗粒度应用组件进行分布式部署、组合和使用。服务